818-IS und 918D-IS Technische Daten
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Modell |
818-IS-1
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918D-IS-1
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918D-IS-SL
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918D-IS-IG
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| Spektralbereich (nm) |
400–1650 |
400-1100 |
800-1650 |
| Sättigungsleistung (mW) |
>200 |
| Sättigungsenergie (µJ), 10–15 ns Puls |
>1 |
| Pulsenergie, maximal (µJ) |
100 |
| Kalibrationsunsicherheit(1) |
<5% @ 410 nm, 3% @ 420-1600 nm, 8% @ 1610-1650 nm |
<5% @ 410 nm, 3% @ 420-1100 nm |
<3% @ 800-1600 nm, 8% @ 1610-1650 nm |
| Empfindlichkeit |
>0,0025 (400–600 nm)
>0,0040 ( 610-1650 nm) |
>0,0025 |
≥0,0040 |
| Anstiegszeit (µs) |
≤2 |
| Nebenwiderstand (MΩ) |
≥20 |
| Bauteil-Kapazität (pF) |
800 max. |
| NEP bei 5 Hz und 1 A/W (pW/√Hz) |
3 |
| Material |
InGaAs/Si |
Silizium |
InGaAs |
1) Die Kalibrationsunsicherheit kann in Abhängigkeit von der NIST Transferstandardunsicherheit variieren.
Technische Daten für Detektoren der Serie 818-F
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Modell |
818-F-SL
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818-F-IR
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| Spektralbereich (µm) |
0,4–1,1 |
0,78–1,8 |
| Maximale mittlere Leistung ohne Abschwächer (mW/cm2)(1) |
2 |
3 |
| Pulsenergie, maximal - ohne Abschwächer (nJ/cm2)(2) |
0,03 |
0,35 |
| Kalibrationsunsicherheit (ohne Abschwächer)(4) |
1% @ 400-940nm, 4% @ 941-1100nm |
1% @ 400-940nm, 4% @ 941-1100nm |
| Gleichförmigkeit (%)(3) |
±2 |
±2 |
| Linearität (%) |
±0,5 |
±0,5 |
| Sättigungsstrom (mA/cm2) |
2 |
400 |
| Empfindlichkeit |
>0,1 A/W
400–1000 nm |
≥0,2 A/W
850–1700 nm |
| Empfindlichkeit (Spitze) |
>0,4 A/W
@ 400–1000 nm |
>0,8 A/W
@ 850–1700 nm |
| Anstiegszeit (µs) |
≤1 |
≤2 |
| Nebenwiderstand (MΩ) (typ.) |
≥200 |
≥35 |
| Bauteil-Kapazität (pF) |
160 |
14 |
| Sperrspannung, maximal (V) |
5 |
0,25 |
| NEP (W/√Hz) |
1,1 x 10-14 |
0,7 ×10-12 |
| Material |
Silizium |
Germanium |
| Aktiver Bereich (cm2) |
0,071 |
| Aktiver Durchmesser (cm) |
0,3 |
| Form |
Faser-Modul |
| Abschwächer, OD3 |
Nicht lieferbar |
1) Gilt für den gesamten Spektralbereich
2) 15 ns Pulsbreite
3) Gleichförmigkeit gilt nur für den Detektor
4) Ohne faseroptischen Stecker
